中國企業(yè)自主研發(fā)的內(nèi)存芯片亮相美國

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發(fā)布時間：2018-08-21
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中國企業(yè)自主研發(fā)的內(nèi)存芯片亮相美國

【概要描述】

　　(轉(zhuǎn)自電子工程世界)

　　韓媒稱，中國半導(dǎo)體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國硅谷首次公開。中美貿(mào)易戰(zhàn)之下，中國半導(dǎo)體企業(yè)宣布進軍市場。

　　據(jù)韓國《朝鮮日報》網(wǎng)站8月7日報道，據(jù)悉，清華紫光的子公司長江存儲(YMTC)從8月7日(當(dāng)?shù)貢r間)出席美國《美國的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)》，公開32層、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日作主旨演講，介紹新產(chǎn)品。

　　中國產(chǎn)NAND將提高產(chǎn)量

　　報道稱，YMTC此次公開的NAND當(dāng)中，32層產(chǎn)品將于下半年進入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。半導(dǎo)體業(yè)界認為，企業(yè)技術(shù)水平上，韓國比中國領(lǐng)先3年。

　　報道稱，YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)Xtacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。

　　報道稱，YMTC計劃先在位于武漢的工廠進行生產(chǎn)，后將在南京建廠，從明年開始提高產(chǎn)量。中國的NAND進入市場已成為不可阻擋的趨勢，市場調(diào)查機構(gòu)預(yù)測認為，NAND價格到明年將持續(xù)下降。

　　報道稱，中國政府為2025年內(nèi)存半導(dǎo)體自給率提高至70%，已投入資金達1000億美元。

　　報道稱，業(yè)界人士表示：“中國企業(yè)先攻占電腦等低價產(chǎn)品市場，日后將進入服務(wù)器等高價產(chǎn)品市場。”

　　韓企積極擴大投資留住人才

　　報道稱，韓國兩大半導(dǎo)體生產(chǎn)商三星電子和SK海力士為應(yīng)對中國企業(yè)的崛起，正積極擴大投資規(guī)模和努力留住人才。三星電子在京畿道平澤半導(dǎo)體工廠開始建第二生產(chǎn)線，計劃投資30兆韓幣(約為1825億元人民幣)。SK海力士也決定在京畿道利川新建M16工廠，計劃投資15兆韓元(約為914億元人民幣)。

　　報道稱，韓國企業(yè)也積極開展留住人才的工作，這是為了阻止中國企業(yè)以天文數(shù)字年薪挖走韓國企業(yè)半導(dǎo)體人才。近日，三星顯示器起訴中國BOE子公司挖走的員工，韓國水原地方法院對該員工判轉(zhuǎn)職禁止處分，如有違背，向三星顯示器每天交納1000萬韓幣(約為6萬元人民幣)。